HIMA F3221

    随着消费类电子产品包括PDA，MP3、智能手机等手持设备的市场需求逐步扩大，产品间的竞争也愈发激烈，降低产品的设计成本，提升产品的市场竞争力成为嵌入式系统开发者所面临的重大挑战。NANDFLASH和NORFLASH作为两种主要的非易失性存储器，被应用于各种嵌入式系统。其中NANDFLASH主要优点在于存储密度高、容量大，有更占优势的存储性价比。但是NANDFLASH由于其独特的页式读写方式，并不适合程序的直接执行。因此，从NANDFLASH启动需要片上存储器作为代码执行的中转区。本文所讨论的一种系统启动方式，是在缺少片上存储器支持的情况下，实现系统直接从NANDFLASH启动。论文中充分考虑了如何实现软、硬件之间的协同工作，以完成SOC系统的设计。

    2NANDFLASH控制器的结构

    本文所讨论的NANDFLASH控制器是针对一款基于ARM7TDMI的SoC芯片，该控制器在芯片中的位置如图1所示，作为AMBA总线上的一个从设备集成于AHB上。主要模块包括总线接口模块、FIFO缓冲模块、ECC编码模块以及逻辑控制模块。

FANUC SERVO CONTROL A02B-0168-B013 USED A02B0168B013

 

FANUC SERVO CONTROL A02B-0168-B003 USED A02B0168B003

 

ALLEN BRADLEY 1394-SJT05-C-RL MODULE 1394SJT05CRL

 

FANUC A06B-6088-H230#​H500 REMAN. A06B6088H230H50​0

 

INDRAMAT KDA 3.2-100-3-DPD-U​1 REMAN. KDA321003DPDU1

 

INDRAMAT TVM 2.4-050-220 NEW TVM24050220

 

ABB 3HAB8101-2/07A Drive NEW 3HAB81012 3HAB8101

 

REXROTH INDRAMAT MAC093B-0-JS-2-​C/130-B-0/S005 REMAN

 

ABB PC BOARD 3HAA3563-AGA/2 NEW 3HAA3563AGA2

 

Siemens Power Supply 575-6663 NEW 5756633

 

ALLEN BRADLEY 2711E-T10C6 REMAN. 2711ET10C6

 

MODICON 140-CPU-434-12A USED 140CPU43412A

 

MODICON 140NOE77111 NEW 140-NOE-771-11

GE 531X128HMSADG1

GE 531X133PRUALG1

GE 531X139APMARM7

GE 531X175SSBAYM2

GE 531X179PLMAKG1

GE 531X300CCHAFM5

GE MMII-PD-1-2-120

GE M60K03HKHF8LH4CM8NP6EUXXW5C

GE 369-HI-R-M-0-0-E

GE VMIVME-7750-746000

GE 369-HI-R-0-0-0-0-E

GE DS200FSAAG1A

GE 369-HI-R-M-0-0-H-E

GE IC660BBR100

GE IC754VGI06STD

GE IC660BBD022

GE IC600LX624

GE DS200TCQAG1B  DS200TCQAG1BGE

GE IC660BRD025 IC660ERD025 IC660TBD025

GE DS3820LT4A.1C1A

GE DS3800NOAA1F1D

GE IC693CPU363

GE H200I

GE 104X905BA603

GE 12HFA51A42H

GE 12HGA11J52

GE 269 PLUS-D/O-100P-125V

GE 489-P5-LO-A20

GE 5136-PFB-VME

GE 94-164136-001

GE CT7P70500470CW24

GE DS200TCQAG1BHF

GE HE693STP104AX

GE HE693STP110

GE IC200CBL600(线）

GE IC200CHS001底座