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LAM 810-048219-008 电路板模块 用于半导体

型号: 810-048219-008  分类: LAM
  • 810-048219-008
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LAM 810-048219-008 电路板模块 用于半导体
LAM 810-048219-008 电路板模块是LAM Research半导体设备中的关键组件,但公开资料中关于其详细技术参数、功能定位或应用场景的直接信息较为有限。以下结合半导体设备配件的行业特性及LAM产品体系进行推断性分析:

一、技术特性推测

  1. 硬件设计
    • 高电压/频率兼容性:可能采用高耐压(如850V级)设计,输出频率支持高频段(如58kHz),适配射频电源或等离子体发生器等高功率场景;
    • 冗余电源支持:具备2N冗余电源配置能力,支持在线热插拔,保障7×24小时无间断运行;
    • 环境适应性:工作温度范围覆盖-40℃至+105℃,满足工业级应用需求。
  2. 信号处理能力
    • 多通道接口:可能集成4路以上模拟/数字信号接口,支持50-60Hz标准频率输入;
    • 精密控制:通过高速ADC/DAC实现模拟信号的毫秒级响应,确保工艺参数的实时调整。

LAM 810-048219-008 电路板模块 用于半导体
二、功能定位分析

  1. 工艺控制核心
    • 在刻蚀/沉积设备中,可能负责射频功率分配、气体流量闭环控制或腔体压力调节等核心功能;
    • 通过PID算法实现工艺参数的动态补偿,提升晶圆加工的均匀性(如3D NAND闪存层间介质厚度控制)。
  2. 故障安全机制
    • 内置过压/过流保护、ESD防护及冗余电源切换功能,降低因模块故障导致的晶圆报废风险;
    • 支持远程诊断接口,便于与LAM的Enablis™系统集成,实现预测性维护。

三、应用场景推测

  1. 先进制程设备
    • 可能用于EUV光刻机或GAAFET架构刻蚀设备,配合高精度运动平台实现亚纳米级加工精度;
    • 在3D IC封装设备中,负责TSV刻蚀或铜互连沉积的工艺参数控制。
  2. 功率半导体产线
    • 适用于SiC/GaN器件制造,通过高频电源控制优化外延生长速率或离子注入剂量。
    • LAM 810-048219-008 电路板模块 用于半导体
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