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LAM 810-000365-001 电路板模块

型号: LAM 810-000365-001  分类: LAM
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产品描述:
LAM 810-000365-001电路板模块是半导体制造设备中高度专业化的核心组件,其技术特性、应用场景及市场价值需结合行业背景深入分析。以下从技术参数、功能定位、应用领域及供应链现状四个维度展开说明:

一、技术参数与硬件规格

该模块作为LAM Research(泛林集团)设备的关键子系统,其硬件设计严格匹配半导体工艺需求:

  • 电气特性:支持24V直流输入,电流承载范围100-400A,满足高功率密度需求;
  • 信号接口:集成4组工业级接口,兼容50-60Hz标准频率,确保与晶圆加工设备的信号同步;
  • 环境适应性:工作温度范围覆盖-20℃至+70℃,抗电磁干扰能力达EN 50121-4标准,适用于无尘车间环境;
  • 机械尺寸:模块化设计(重量约2kg)便于快速维护,符合SEMI S2安全规范。

LAM 810-000365-001 电路板模块
二、功能定位与系统集成

该模块在半导体刻蚀/沉积设备中承担双重角色:

  1. 工艺控制中枢:通过精密电压调节(±0.1%精度)实现等离子体激发参数的毫秒级响应,直接影响晶圆表面薄膜沉积的均匀性(如3D NAND闪存生产中氮化硅层厚度控制);
  2. 故障安全屏障:内置冗余电源监测电路,当检测到异常电流波动时,可在15ms内触发安全联锁,避免晶圆报废(据应用材料公司统计,此类保护机制可使单次事故损失降低80%)。

三、核心应用场景

  1. 逻辑芯片制造:在7nm及以下制程中,模块需配合LAM的Vector®等离子体系统,实现侧壁角度<88°的刻蚀,这对FinFET晶体管的沟道控制至关重要;
  2. 存储器生产:3D NAND堆叠层数突破200层后,模块的脉冲电压稳定性(抖动<0.5%)直接决定层间隧穿氧化层的完整性;
  3. 功率器件开发:在SiC MOSFET制造中,模块需配合LAM的Kiyo®刻蚀机,维持1200V耐压层加工的亚纳米级精度。
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